KTP晶體(KTiOPO4晶體)中文名稱(cheng)為(wei)磷酸鈦氧鉀晶體廣泛應用于商(shang)業和軍用激(ji)(ji)光中,包括實驗室,醫(yi)學系統,射程探測器,激(ji)(ji)光雷達,光通信和工業激(ji)(ji)光系統。
非線性光學系數大;
接收角大,離散角小;
溫度(du)范(fan)圍(wei)和光譜(pu)范(fan)圍(wei)寬(kuan);
光(guang)電系數高,介(jie)電常數低;
不(bu)吸水,化(hua)學、機(ji)械性能穩(wen)定性。
KPD晶體(ti)加工精(jing)度或根(gen)據客戶(hu)要求: | |
1.材料 | 根據客戶要求選擇國產或進口(kou)材(cai)料 |
尺(chi)寸(cun)公差(cha): | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm)(L≥2.5mm) |
(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1mm) (L<2.5mm) | |
通光孔(kong)徑 | 中心(xin)90% |
平面度: | 小于λ/8 @ 633nm |
波前(qian)畸(ji)變: | 小于λ/8 @ 633nm |
倒(dao)邊: | ≤0.2mm×@45° |
崩邊: | ≤0.1mm |
表(biao)面光潔度: | 小于10/ 5(MIL-PRF-13830B) |
通光(guang)面平行度(du): | 小于(yu)20" |
側面垂(chui)直度: | ≤5' |
角度公差: | △θ≤0.25°, △ф≤0.25° |
損傷域值[GW/cm2 ]: | >0.5 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated) |
>0.3 for 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated) | |
質量保質期: | 一年內(nei)正常使用(yong) |
光學和非線性(xing)光學性(xing)能: | |
可透波段(duan)范圍 | 350~4500nm |
SHG相(xiang)位匹配范圍(wei) | 497 ~ 1800nm (Type II) |
熱(re)光系數(shu)(/°C) | dnx/dT=1.1X10-5 |
dny/dT=1.3X10-5 | |
dnz/dT=1.6X10-5 | |
吸收系數 | <0.1%/cm at 1064nm <1%/cm at 532nm |
For Type II SHG of a Nd:YAG laser at 1064nm | 溫度接收: 24°C·cm |
光譜(pu)接收: 0.56nm·cm | |
角度接收: 14.2mrad·cm (φ); 55.3mrad·cm(θ) | |
離散角: 0.55° | |
非線性(xing)系數 | deff(II)≈(d24 - d15)sin2φsin2θ - (d15sin2φ+ d24cos2φ)sinθ |
Non-vanished 非(fei)線性磁化系(xi)數(shu) | d31=6.5 pm/V d24=7.6 pm/V |
d32= 5 pm/V d15=6.1 pm/V | |
d33=13.7 pm/V | |
Sellmeier 方(fang)程 | nx2=3.0065+0.03901/(λ2-0.04251)-0.01327λ2 |
(λ in μm) | ny2=3.0333+0.04154/(λ2-0.04547)-0.01408λ2 |
nz2=3.3134+0.05694/(λ2-0.05658)-0.01682λ2 |